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BTS113ANKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BTS113ANKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TEMPFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 170mOhm @ 5.8A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 40W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores P-TO220AB
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 560pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V

En stock 55 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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