La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

BSZ520N15NS3GATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSZ520N15NS3GATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 35µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 52mOhm @ 18A, 10V
Disipación de energía (máx.) 57W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TSDSON-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 12nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 150V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 890pF @ 75V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V

En stock 46990 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

FDS4675
ON Semiconductor
$0
SI4100DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
RJK0651DPB-00#J5
Renesas Electronics America
$0
IPD60R600C6ATMA1
Infineon Technologies
$0
PSMN5R5-60YS,115
Nexperia USA Inc.
$0