BSZ215CHXTMA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | BSZ215CHXTMA1 |
Descripción: | MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Tipo FET | N and P-Channel Complementary |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Característica FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 2.5W |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) - Id | 1.4V @ 110µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 55mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TSDSON-8 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 419pF @ 10V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 5.1A, 3.2A |
En stock 56 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.47 | $0.46 | $0.45 |
Mínimo: 1