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BSZ180P03NS3GATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	BSZ180P03NS3GATMA1
Descripción:	MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	OptiMOS™
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id	3.1V @ 48µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	18mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.)	2.1W (Ta), 40W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PG-TSDSON-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	30nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	2220pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	9A (Ta), 39.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V