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BSZ180P03NS3EGATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSZ180P03NS3EGATMA1
Descripción: MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±25V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 3.1V @ 48µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TSDSON-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 30nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2220pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 4107 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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