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BSZ12DN20NS3GATMA1
| Fabricantes: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | BSZ12DN20NS3GATMA1 |
| Descripción: | MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 25µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 125mOhm @ 5.7A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 50W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TSDSON-8 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 8.7nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 200V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 680pF @ 100V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 11.3A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 5272 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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