Image is for reference only , details as Specifications

BSZ110N08NS5ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSZ110N08NS5ATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 3.8V @ 22µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 11mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.) 50W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TSDSON-8-FL
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 18.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1300pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 8193 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SQJ457EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
IRLL2705TRPBF
Infineon Technologies
$0
AON6407
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0