BSZ0910NDXTMA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | BSZ0910NDXTMA1 |
Descripción: | DIFFERENTIATED MOSFETS |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Característica FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 1.9W (Ta), 31W (Tc) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-PowerVDFN |
Vgs(th) (Max) - Id | 2V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 9.5mOhm @ 9A, 10V |
Paquete de dispositivos de proveedores | PG-WISON-8 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 5.6nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 800pF @ 15V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 9.5A (Ta), 25A (Tc) |
En stock 4937 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1