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BSZ0910NDXTMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: BSZ0910NDXTMA1
Descripción: DIFFERENTIATED MOSFETS
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie OptiMOS™
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate, 4.5V Drive
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9.5mOhm @ 9A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores PG-WISON-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 5.6nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 800pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9.5A (Ta), 25A (Tc)

En stock 4937 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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