La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

BSZ042N06NSATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	BSZ042N06NSATMA1
Descripción:	MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	OptiMOS™
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id	2.8V @ 36µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	4.2mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PG-TSDSON-8-FL
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	27nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	2000pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	17A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V