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BSZ018NE2LSATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	BSZ018NE2LSATMA1
Descripción:	MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	OptiMOS™
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id	2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	1.8mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PG-TSDSON-8-FL
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	39nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	2800pF @ 12V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	23A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V