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BSS169H6327XTSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSS169H6327XTSA1
Descripción: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SIPMOS®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Depletion Mode
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 1.8V @ 50µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 360mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-23-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 2.8nC @ 7V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 68pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 170mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V

En stock 19279 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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