Image is for reference only , details as Specifications

BSS126H6327XTSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSS126H6327XTSA1
Descripción: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SIPMOS®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Depletion Mode
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 1.6V @ 8µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 500Ohm @ 16mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 500mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-23-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 2.1nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 28pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 21mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V

En stock 82 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

BSF083N03LQ G
Infineon Technologies
$0
BSF053N03LT G
Infineon Technologies
$0
BSB053N03LP G
Infineon Technologies
$0
BSB024N03LX G
Infineon Technologies
$0
BSB019N03LX G
Infineon Technologies
$0