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BSS119NH6433XTMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSS119NH6433XTMA1
Descripción: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 2.3V @ 13µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 6Ohm @ 190mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 500mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-SOT23-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 0.6nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 20.9pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 190mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 81 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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