BSP613P
Fabricantes: | Infineon Technologies |
---|---|
Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | BSP613P |
Descripción: | MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | SIPMOS® |
Tipo FET | P-Channel |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-261-4, TO-261AA |
Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 1mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 130mOhm @ 2.9A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 1.8W (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | PG-SOT223-4 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 33nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 875pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 2.9A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 71 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1