La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

BSP317PE6327

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSP317PE6327
Descripción: MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SIPMOS®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 370µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4Ohm @ 430mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.8W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-SOT223-4
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 15.1nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 250V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 262pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 430mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 63 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

BSP170PE6327
Infineon Technologies
$0
BSO4822
Infineon Technologies
$0
BSO4420
Infineon Technologies
$0
BSO4410
Infineon Technologies
$0
BSO303SPNTMA1
Infineon Technologies
$0