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BSP297H6327XTSA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	BSP297H6327XTSA1
Descripción:	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	SIPMOS®
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Cut Tape (CT)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) - Id	1.8V @ 400µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	1.8Ohm @ 660mA, 10V
Disipación de energía (máx.)	1.8W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	PG-SOT223-4
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	16.1nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	357pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	660mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V