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BSP129E6327T

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSP129E6327T
Descripción: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SIPMOS®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Depletion Mode
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 108µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 6Ohm @ 350mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.8W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-SOT223-4
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 5.7nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 240V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 108pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 350mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V

En stock 85 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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