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BSO303PNTMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: BSO303PNTMA1
Descripción: MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie OptiMOS™
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 2W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 21mOhm @ 8.2A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores P-DSO-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 72.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1761pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8.2A

En stock 52 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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