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BSO211PNTMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: BSO211PNTMA1
Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie OptiMOS™
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Empaquetado Cut Tape (CT)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 2W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de pieza base BSO211
Vgs(th) (Max) - Id 1.2V @ 25µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores P-DSO-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 23.9nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 920pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.7A

En stock 1380 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.89 $0.87 $0.85
Mínimo: 1

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