La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

BSF045N03MQ3 G

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSF045N03MQ3 G
Descripción: MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 3-WDSON
Vgs(th) (Max) - Id 2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4.5mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.) -
Paquete de dispositivos de proveedores MG-WDSON-2, CanPAK M™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 34nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2600pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 18A (Ta), 63A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 59 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

BSC152N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
$0
2N7002L6327HTSA1
Infineon Technologies
$0
TPC8035-H(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RDN150N20FU6
ROHM Semiconductor
$0
RDN120N25FU6
ROHM Semiconductor
$0