Image is for reference only , details as Specifications

BSC350N20NSFDATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSC350N20NSFDATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 200V 35A 8TDSON
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 90µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 35mOhm @ 35A, 10V
Disipación de energía (máx.) 150W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TDSON-8-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 30nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2410pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 52 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

FDMS3662
ON Semiconductor
$0
BSC320N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
$0
SIR880DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
TPW4R008NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
$0