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BSC123N08NS3GATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSC123N08NS3GATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 33µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 12.3mOhm @ 33A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TDSON-8-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 25nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1870pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11A (Ta), 55A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 137048 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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