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BSC0924NDIATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: BSC0924NDIATMA1
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie OptiMOS™
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Característica FET Logic Level Gate, 4.5V Drive
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TISON-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1160pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 17A, 32A

En stock 97 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.45 $0.44 $0.43
Mínimo: 1

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