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BSC066N06NSATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSC066N06NSATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 60V 64A 8TDSON
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 3.3V @ 20µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 6.6mOhm @ 50A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TDSON-8-6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 21nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1500pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 64A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 10000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.47 $0.46 $0.45
Mínimo: 1

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