BSC050N10NS5ATMA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | BSC050N10NS5ATMA1 |
Descripción: | TRENCH >=100V |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ 5 |
Tipo FET | N-Channel |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) - Id | 3.8V @ 72µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 5mOhm @ 50A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 3W (Ta), 136W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TDSON-8-7 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 61nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 100V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 4300pF @ 50V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 16A (Ta), 100A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
En stock 61 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.21 | $1.19 | $1.16 |
Mínimo: 1