Image is for reference only , details as Specifications

BSC046N02KSGAUMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	BSC046N02KSGAUMA1
Descripción:	MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	OptiMOS™
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Cut Tape (CT)
Vgs (máx.)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id	1.2V @ 110µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	4.6mOhm @ 50A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	2.8W (Ta), 48W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PG-TDSON-8-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	27.6nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	4100pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	19A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V