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BSC019N02KSGAUMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	BSC019N02KSGAUMA1
Descripción:	MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	OptiMOS™
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id	1.2V @ 350µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	1.95mOhm @ 50A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	2.8W (Ta), 104W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PG-TDSON-8-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	85nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	13000pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	30A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V