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BSB165N15NZ3GXUMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	BSB165N15NZ3GXUMA1
Descripción:	MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	OptiMOS™
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Cut Tape (CT)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	3-WDSON
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 110µA
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	16.5mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.)	2.8W (Ta), 78W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	35nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	150V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	2800pF @ 75V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	9A (Ta), 45A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V