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BSB104N08NP3GXUSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSB104N08NP3GXUSA1
Descripción: MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 3-WDSON
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 40µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 10.4mOhm @ 10A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores MG-WDSON-2, CanPAK M™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 31nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2100pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 13A (Ta), 50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 93 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.60 $0.59 $0.58
Mínimo: 1

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