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BSB044N08NN3GXUMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSB044N08NN3GXUMA1
Descripción: MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 3-WDSON
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 97µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4.4mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores MG-WDSON-2, CanPAK M™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 73nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 5700pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 18A (Ta), 90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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