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BSB012NE2LX

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSB012NE2LX
Descripción: MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 3-WDSON
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.2mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores MG-WDSON-2, CanPAK M™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 67nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4900pF @ 12V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 37A (Ta), 170A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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