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BG3123RE6327HTSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Ficha técnica: BG3123RE6327HTSA1
Descripción: MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Ganar 25dB
Serie -
Frecuencia 800MHz
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Obsolete
Figura de ruido 1.8dB
Corriente - Prueba 14mA
Paquete / Caso 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Potencia - Salida -
Voltaje - Prueba 5V
Tipo de transistor 2 N-Channel (Dual)
Voltaje - Clasificado 8V
Número de pieza base BG3123
Clasificación de corriente (amperios) 25mA, 20mA
Paquete de dispositivos de proveedores PG-SOT363-6

En stock 52 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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