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BF771E6327HTSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Ficha técnica: BF771E6327HTSA1
Descripción: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Ganar 10dB ~ 15dB
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 580mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de transistor NPN
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 8GHz
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-23-3
Figura de ruido (dB Typ - f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 80mA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 70 @ 30mA, 8V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 12V

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