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BCR555E6327HTSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: BCR555E6327HTSA1
Descripción: TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Last Time Buy
Potencia - Máx. 330mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Número de pieza base BCR555
Resistencia - Base (R1) 2.2 kOhms
Frecuencia - Transición 150MHz
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-23-3
Resistencia - Base emisora (R2) 10 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 500mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 14039 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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