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BCR35PNE6327BTSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: BCR35PNE6327BTSA1
Descripción: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 250mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Número de pieza base BCR35PN
Resistencia - Base (R1) 10kOhms
Frecuencia - Transición 150MHz
Paquete de dispositivos de proveedores PG-SOT363-6
Resistencia - Base emisora (R2) 47kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) -
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 64 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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