AUIRF7341QTR
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | AUIRF7341QTR |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Característica FET | Logic Level Gate |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Potencia - Máx. | 2.4W |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs(th) (Max) - Id | 3V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 50mOhm @ 5.1A, 10V |
Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SO |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 44nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 55V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 780pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 5.1A |
En stock 3682 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1