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AUIRF7341Q

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: AUIRF7341Q
Descripción: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Tube
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 2.4W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 50mOhm @ 5.1A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 44nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 55V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 780pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5.1A

En stock 61 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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