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AIHD10N60RFATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: AIHD10N60RFATMA1
Descripción: IC DISCRETE 600V TO252-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 64nC
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 150W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Condición de la prueba 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Cambio de energía 190µJ (on), 160µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 12ns/168ns
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO252-3-313
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.5V @ 15V, 10A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 20A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 30A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V

En stock 72 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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