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IXTY1R4N120PHV

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXTY1R4N120PHV
Descripción: MOSFET N-CH
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Polar™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 13Ohm @ 700mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 86W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 24.8nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 666pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 93 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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