La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IXTY08N100P

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXTY08N100P
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Polar™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 50µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 20Ohm @ 500mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 42W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252, (D-Pak)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 11.3nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1000V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 240pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 800mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 74 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.12 $2.08 $2.04
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPB180N04S302ATMA1
Infineon Technologies
$0
FDB9403L-F085
ON Semiconductor
$0
SPP15N60C3XKSA1
Infineon Technologies
$2.11
IPP80N06S2LH5AKSA2
Infineon Technologies
$2.11
NVATS5A304PLZT4G
ON Semiconductor
$2.1