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IXTY08N100D2

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXTY08N100D2
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Depletion Mode
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 21Ohm @ 400mA, 0V
Disipación de energía (máx.) 60W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252, (D-Pak)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 14.6nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1000V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 325pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 800mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) -

En stock 1232 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.36 $2.31 $2.27
Mínimo: 1

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