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IXTU01N100D

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXTU01N100D
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Depletion Mode
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 25µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 80Ohm @ 50mA, 0V
Disipación de energía (máx.) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-251
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1000V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 120pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 100mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 0V

En stock 80 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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