IXTT16N10D2
Fabricantes: | IXYS |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IXTT16N10D2 |
Descripción: | MOSFET N-CH 100V 16A TO-268 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | IXYS |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | Depletion Mode |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Vgs(th) (Max) - Id | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 64mOhm @ 8A, 0V |
Disipación de energía (máx.) | 830W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-268 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 225nC @ 5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 100V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 5700pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 16A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
En stock 80 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$9.31 | $9.12 | $8.94 |
Mínimo: 1