La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IXTP3N110

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXTP3N110
Descripción: MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4Ohm @ 1.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 150W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 42nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1350pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 80 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.74 $5.63 $5.51
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IXFH150N17T2
IXYS
$5.7
IXTR62N15P
IXYS
$5.7
IXTQ30N60P
IXYS
$5.66
HUF75852G3
ON Semiconductor
$5.65
IXFH12N90P
IXYS
$5.6