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IXTP1R6N100D2

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXTP1R6N100D2
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Depletion Mode
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 10Ohm @ 800mA, 0V
Disipación de energía (máx.) 100W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 27nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1000V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 645pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 51 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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