La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
IXTP1R6N100D2
| Fabricantes: | IXYS |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | IXTP1R6N100D2 |
| Descripción: | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | IXYS |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Tube |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | Depletion Mode |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) - Id | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 10Ohm @ 800mA, 0V |
| Disipación de energía (máx.) | 100W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-220AB |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 27nC @ 5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1000V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 645pF @ 25V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 1.6A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 51 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.85 | $1.81 | $1.78 |
Mínimo: 1
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