Image is for reference only , details as Specifications

IXTP1R4N120P

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXTP1R4N120P
Descripción: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Polar™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 13Ohm @ 500mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 86W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 24.8nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 666pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 50 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.06 $3.00 $2.94
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

AUIRFS8409TRL
Infineon Technologies
$3.06
FDMS003N08C
ON Semiconductor
$3.05
IPI030N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
$3.05
IXFP36N20X3M
IXYS
$3.05
SPA20N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
$3.05