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IXTN660N04T4

Fabricantes:	IXYS
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IXTN660N04T4
Descripción:	40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	IXYS
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	TrenchT4™
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±15V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	Current Sensing
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / Caso	SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	0.85mOhm @ 100A, 10V
Disipación de energía (máx.)	1040W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	SOT-227B
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	860nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	44000pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	660A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V