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IXTN120P20T

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXTN120P20T
Descripción: MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchP™
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±15V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / Caso SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 30mOhm @ 60A, 10V
Disipación de energía (máx.) 830W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-227B
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 740nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 73000pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 106A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 61 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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