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IXTM12N100

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXTM12N100
Descripción: POWER MOSFET TO-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie GigaMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Last Time Buy
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-204AA, TO-3
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.05Ohm @ 6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 300W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-204AA
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 170nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1000V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4000pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 75 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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