La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IXTH80N65X2

Fabricantes:	IXYS
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IXTH80N65X2
Descripción:	MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	IXYS
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id	4.5V @ 4mA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	40mOhm @ 40A, 10V
Disipación de energía (máx.)	890W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-247
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	144nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	7753pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V